Comment Lire Transistor de Données

Comment Lire Transistor de Donnees

Les Transistors sont fabriques a partir de semi-conducteurs comme le silicium ou le germanium. Ils sont construits avec trois ou plus de bornes. Ils peuvent etre consideres comme d'electronique, car les vannes d'un petit signal qui est envoye par l'intermediaire d'un moyen de terminal de controle le flux de courant a travers les autres. Ils fonctionnent principalement comme des interrupteurs et des amplificateurs.Les transistors bipolaires sont le type le plus populaire. Ils ont trois couches avec un plomb attache a chacun d'eux. La couche du milieu est la base, et les deux autres ont appele l'emetteur et le collecteur.Informations techniques sur les transistors peuvent etre trouves sur leurs paquets, sur les fiches techniques du fabricant, et dans l'electronique des manuels ou des guides. Ils contiennent des informations sur les caracteristiques des transistors et de fonctionnement. Ceux qui sont les plus importants incluent le gain, et la dissipation de la puissance maximale.

les Transistors sont fabriques a partir de semi-conducteurs comme le silicium ou le germanium. Ils sont construits avec trois ou plus de bornes. Ils peuvent etre consideres comme d'electronique, car les vannes d'un petit signal qui est envoye par l'intermediaire d'un moyen de terminal de controle le flux de courant a travers les autres. Ils fonctionnent principalement comme des interrupteurs et des amplificateurs.Les transistors bipolaires sont le type le plus populaire. Ils ont trois couches avec un plomb attache a chacun d'eux. La couche du milieu est la base, et les deux autres ont appele l'emetteur et le collecteur.Informations techniques sur les transistors peuvent etre trouves sur leurs paquets, sur les fiches techniques du fabricant, et dans l'electronique des manuels ou des guides. Ils contiennent des informations sur les caracteristiques des transistors et de fonctionnement. Ceux qui sont les plus importants incluent le gain, et la dissipation de la puissance maximale.
les Choses dont Vous aurez Besoin

• un transistor NPN, comme un 2N3904
• Transistor de la fiche de donnees ou package

• Introduction de l'electronique de texte

• Trouver la generalisation de la description du transistor, qui contient des informations sur la façon dont le transistor peut etre utilise dans un circuit. Sa fonction sera decrite comme celle de l'amplification, de commutation ou les deux.
• Observer la dissipation de la notation de l'appareil. Ce parametre indique combien de puissance du transistor peut supporter en toute securite sans etre endommage. Les Transistors sont generalement decrits comme la puissance ou petit-signal, depend de la valeur de ce classement. Les transistors de puissance peut generalement de dissiper une puissance en watt ou plus de puissance, tandis que le petit-signal de celles de dissiper moins d'un watt. La dissipation maximum pour un 2N3904 est de 350 mW (milliwatts), et il est donc considerees comme de petites signal.
• Etude de l'actuelle parametre de gain Hfe. Il est defini comme un gain, car un signal faible a la base, produit beaucoup plus de signal au collecteur. Hfe a des valeurs minimum et maximum, bien que les deux peuvent ne pas etre repertories. Le 2N3904 a un Hfe minimum de 100. Un exemple de son utilisation, de considerer le courant collecteur formule Icollector = HfeIbase. Si le courant de base Ibase est 2 mA , la formule affirme qu'il y a un minimum de 1002 mA = 200 mA (milliamperes) au collecteur. Hfe peut etre egalement appelee Beta(dc).
• Examiner les parametres pour le maximum de la repartition des tensions. La tension de claquage est ou le transistor va s'arreter de fonctionner ou etre detruit s'il est donne une tension d'entree de ce montant. Il est recommande que les transistors ne pas etre autorise a fonctionner a proximite de ces valeurs, de peur que leur duree de vie sera raccourcie. Vcb est la tension entre le collecteur et la base. Vceo est la tension entre le collecteur et l'emetteur a la base de l'ouvrir, et Veb est la tension entre l'emetteur et la base. Le Vcb tension de claquage pour le 2N3904 est repertorie comme 60 V. Les valeurs restantes sont 40 V pour Vceo, et de 6 V pour Veb. Ce sont les montants qui devraient etre evites en cours de fonctionnement.
• la Revue de l'intensite de courant maximale. Ic est le courant maximum que le collecteur peut gerer, et pour le 2N3904 c'est repertorie comme 200 mA. Observer que ces estimations supposent une temperature ideale est specifie ou suppose que la temperature de la piece. Ce n'est generalement pas depasser les 25 degres Celsius.
• synthetiser les donnees. Pour certains 2N3904 transistors a temperature ambiante avec un collecteur de courant de moins de 200 mA, et ou la puissance n'est pas depasse, leur gain sera aussi faible que 100 ou aussi haut que 300. La plupart des 2N3904 transistors, cependant, aura un gain de 200.

Conseils & Avertissements

• La feuille de donnees pour les transistors PNP aura des caracteristiques similaires a celle de NPN.